特許

J-GLOBAL ID：200903034371926078

半導体発光素子

発明者： 新井 優洋 ,  今野 泰一郎 ,  薄井 浩美
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 川澄 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-261330
公開番号（公開出願番号）：特開2004-103710
出願日： 2002年09月06日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：

【課題】金属酸化物窓層から半導体コンタクト層へのIn拡散を抑止し、低電圧でのトンネル電流を発生させることで、極めて安価で、且つ低動作電圧の半導体発光素子を得る。【解決手段】第一導電型の基板1の上に、活性層4を導電型が異なるクラッド層3、5で挟んだ発光部を形成し、その上に第二導電型のコンタクト層6、その上に金属酸化物の窓層7を形成し、その表面側の一部に表面電極8を形成し、上記基板1の裏面に全面又は部分電極から成る裏面電極9を形成した半導体発光素子において、上記金属酸化物窓層7を、上記第二導電型コンタクト層6上に形成された成膜温度が350°C以下の低温形成部7aと、その上に形成された成膜温度が450°C以上の高温形成部7bからなる膜の積層構造にする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第一導電型の基板の上に、活性層を導電型が異なるクラッド層で挟んだ発光部を形成し、その上に第二導電型のコンタクト層、その上に金属酸化物の窓層を形成し、その表面側の一部に表面電極を形成し、上記基板の裏面に全面又は部分電極から成る裏面電極を形成した半導体発光素子において、 上記金属酸化物窓層が、上記第二導電型コンタクト層上に形成された低温形成部と、その上に形成された高温形成部からなる膜の積層構造を有することを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L33/00 ,  H01L21/28

FI (3件)：

H01L33/00 E ,  H01L33/00 B ,  H01L21/28 301B

Fターム (21件)：

4M104AA04 ,  4M104BB11 ,  4M104BB12 ,  4M104BB36 ,  4M104DD34 ,  4M104DD51 ,  4M104DD79 ,  4M104FF13 ,  4M104GG02 ,  4M104GG04 ,  4M104HH05 ,  5F041AA04 ,  5F041AA31 ,  5F041CA04 ,  5F041CA39 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98