特許
J-GLOBAL ID：200903034375223845
スパッタデポジション装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-275338
公開番号（公開出願番号）：特開2001-152332
出願日： 1991年04月30日
公開日（公表日）： 2001年06月05日
要約：
【要約】【課題】 基板面上にスパッタリング法により成膜するスパッタデポジション装置において、放電空間の外周部近傍に設けたカスプ状磁場によって、対向した電極で形成される空間内に生成させるプラズマの径方向拡散を防止して、プラズマ密度の向上と成膜速度の向上を目的とする。【解決手段】 ターゲット電極3と基板電極5の外周部近傍に配置した永久磁石30、31と、放電空間10の外周面近傍に配置した永久磁石32との、対向する磁極のそれぞれ極性を異極として、カスプ状34の磁場を形成する。
請求項（抜粋）：
ターゲット電極と、このターゲット電極に対向配置された基板電極とを備えたスパッタデポジション装置において、上記ターゲット電極の外周近傍に配置される第1の磁場発生手段と、上記基板電極の外周近傍に配置される第2の磁場発生手段と、上記ターゲット電極と基板電極とに挾まれて形成される空間の外周面近傍における、上記2つの電極の中間の位置に、この外周面に沿って配置される第3の磁場発生手段とを備えて構成されることを特徴とするスパッタデポジション装置。
IPC (4件)：
C23C 14/35
, B01J 19/08
, H01L 21/205
, H05H 1/46
C23C 14/35 A
, B01J 19/08 H
, H01L 21/205
, H05H 1/46 M
