特許
J-GLOBAL ID:200903034378791135

選択成膜マスク及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴江 武彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-320202
公開番号(公開出願番号):特開平8-176799
出願日: 1994年12月22日
公開日(公表日): 1996年07月09日
要約:
【要約】【目的】 本発明は、マスクと被成膜基板との間に隙間が生じにくく、且つ微細なマスクパターン加工ができるようにした選択成膜マスク及びその製造方法を提供する。【構成】 本発明によると、マスク材料として異方性エッチングが可能な半導体基板を用いて、被成膜用基板を保持する溝と選択成膜する開口部とを形成してなることを特徴とする選択成膜マスクが提供される。また、本発明によると、半導体基板の表面に被成膜用基板の位置出し用となる第1の溝を形成する工程と、前記半導体基板の裏面に前記被成膜用基板に選択成膜するための成膜パターン用となる第2の溝を形成する工程とを具備してなることを特徴とする選択成膜マスクの製造方法が提供される。
請求項(抜粋):
マスク材料として異方性エッチングが可能な半導体基板を用いて、被成膜用基板を保持する溝と選択成膜する開口部とを形成してなることを特徴とする選択成膜マスク。
引用特許:
審査官引用 (7件)
  • 特開平4-236758
  • 半導体角加速度センサ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-020419   出願人:キヤノン株式会社
  • 特開昭62-297457
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