特許

J-GLOBAL ID：200903034380066901

イオン注入装置

発明者： 冨田 博之 ,  米良 和夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-359348
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183139
出願日： 1998年12月17日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 加熱に伴う熱エネルギーを十分にシリコンウエハに吸収させるとともにシリコンウエハの熱変形を吸収すること。【解決手段】 シリコンウエハ30の外周側端面を、ウエハホルダ22に固定された保持部34で保持し、シリコンウエハ30の他端側をウエハ支持片42で保持し、ウエハ支持片42の端部をコイルばね44、取付金具62、板ばね46を介してブラケット48に固定し、シリコンウエハ30の熱伸びをコイルばね44の変形によって吸収する。

請求項（抜粋）：

イオンビームを発生するイオン源と、イオン注入対象を収納する処理室と、この処理室内に配置されて回転する回転体と、この回転体に固定されて前記イオン注入対象のイオン注入領域との間に間隙を保った状態で前記イオン注入対象を保持する保持手段と、前記イオン源からのイオンビームを前記処理室内のイオン注入対象に向けて照射するイオンビーム照射手段と、前記処理室内のイオン注入対象を加熱する加熱手段とを備え、前記保持手段は、前記イオン注入対象外周側の一部の領域と接触した状態で前記イオン注入対象を保持して、前記イオン注入対象が遠心力の作用する方向に移動するのを阻止しかつ前記遠心力の作用する方向とは異なる方向に移動するのを許容してなるイオン注入装置。

IPC (3件)：

H01L 21/68 ,  H01J 37/317 ,  H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 21/68 N ,  H01J 37/317 B ,  H01L 21/265 603 D

Fターム (8件)：

5C034CC09 ,  5C034CC11 ,  5F031CA02 ,  5F031HA24 ,  5F031HA30 ,  5F031MA31 ,  5F031PA11 ,  5F031PA13