特許
J-GLOBAL ID:200903034387968153
半導体レーザ装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 石田 悟
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-291449
公開番号(公開出願番号):特開2007-103666
出願日: 2005年10月04日
公開日(公表日): 2007年04月19日
要約:
【課題】簡易な構造により半導体レーザを湿度および静電気の影響から保護することができる半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】気密容器2内に収容された半導体レーザ4は、絶縁部材6および伝熱プレート7により気密容器2外の湿度の影響から遮断されて保護される。同時に半導体レーザ4は、絶縁部材6により気密容器2側の静電気の影響から遮断されて保護される。加えて、気密容器2が装置筺体1の天板1Bに固定されることで装置筺体1内に吊り下げられたヒートシンク3により、電子冷却素子5の放熱効率が向上して半導体レーザ4の冷却効率が向上する。【選択図】図2
請求項(抜粋):
気密容器内に収容される半導体レーザと、この半導体レーザに添設される電子冷却素子とを備えた半導体レーザ装置であって、
前記電子冷却素子は伝熱板を介して半導体レーザに添設されており、この伝熱板により、前記気密容器に設けられた開口が絶縁部材を介して気密に塞がれていることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (8件):
5F173MA08
, 5F173MC05
, 5F173MD90
, 5F173ME12
, 5F173ME23
, 5F173ME53
, 5F173ME56
, 5F173ME57
引用特許: