特許

J-GLOBAL ID：200903034389847280

改良された高周波スイッチング特性と降伏特性を備えたパワー半導体デバイス

発明者： バリガ,バントヴァル・ジェヤント
出願人/特許権者： ノース・キャロライナ・ステイト・ユニヴァーシティ
代理人 (1件)： 奥山 尚一 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-578852
公開番号（公開出願番号）：特表2002-528916
出願日： 1999年10月20日
公開日（公表日）： 2002年09月03日
要約：

【要約】改良された高周波スイッチング性能と、改良された終端部特性と、減少したオン状態抵抗とを有する集積型パワー半導体デバイスは、上部のトレンチベースのゲート電極と下部のトレンチベースのソース電極を備えるGD-UMOSFET単位セルを含む。より大きなゲート電極の代わりにトレンチベースのソース電極を使用することにより、UMOSFETのゲート・ドレイン間容量(CGD)が減少し、高周波運転に必要とされるゲート充電及び放電電流の量を減少させることによってスイッチ速度が改善する。

請求項（抜粋）：

対向する第1の面及び第2の面を有する半導体基板と、 前記半導体基板内における第2の導電型のベース領域と、 前記第1の面に隣接する、前記半導体基板内における第1の導電型のソース領域と、 前記第2の面に隣接する、前記半導体基板内における第1の導電型のドレイン領域と、 前記ドレイン領域との非整流接合とを形成する、前記半導体基板内における第1の導電型のドリフト領域と、 前記ソース領域と前記ドリフト領域との間に拡がり、それらとの間にそれぞれ第1及び第2のP-N接合を形成する、前記半導体基板内における第2の導電型のベース領域と、 前記ドリフト領域と前記ベース領域とに隣接して拡がる側壁と、前記ドレイン領域に対向して拡がる底(ボトム)とを有する、前記第1の面における前記半導体基板内の第1のトレンチと、 前記ベース領域に対向して拡がる、前記第1のトレンチ内におけるゲート電極と、 前記ゲート電極と前記第1のトレンチの底との間に拡がる、前記第1のトレンチ内における第1のソース電極と、 前記第1のトレンチの前記側壁に沿って、かつ前記ゲート電極と前記第1のソース電極との間に拡がる、前記第1のトレンチ内における電気的絶縁領域と、を備えたことを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/78 653 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 657

FI (4件)：

H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 652 M ,  H01L 29/78 652 P ,  H01L 29/78 657 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-296282
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-270650   出願人：株式会社東芝