特許
J-GLOBAL ID:200903034390193170

ポリスチレンを基材としたフォトレジスト材料

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 萼 経夫 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-125518
公開番号(公開出願番号):特開平6-100488
出願日: 1993年04月28日
公開日(公表日): 1994年04月12日
要約:
【要約】【構成】 次式(I)(式中、R1 はH、メチル 基またはハロゲン原子を、nは2または3を表し、RはC数1-6 のアルキル基、ベンジル基、2-テトラヒドロフラニル基、2-テトラヒドロピラニル基、C1-6 のアルコキシ カルボニル基、フェノキシ カルボニル基またはベンジルオキシカルボニル基を表し、あるいは、2つのOR基が互いにo-位である場合、2つのR基は一緒になって4個までのC数1-6 のアルキル基で置換されていてもよいエチレン基を形成するかまたはC数1-6 のアルキリデン基を形成する。)で表される化合物及び該化合物を他の不飽和コモノマーの不在または存在下で重合した分子量(Mw)103 ないし106 を持つポリマー。【効果】 上記ポリマーは高い解像性と良好なコントラストをもつ、特に集積回路製造用のポジ型フォトレジスト材料として優れている。
請求項(抜粋):
次式(I)(式中、R1 は水素原子、メチル基またはハロゲン原子を表し、nは2または3を表し、およびRは炭素原子数1ないし6のアルキル基、ベンジル基、2-テトラヒドロフラニル基、2-テトラヒドロピラニル基、炭素原子数1ないし6のアルコキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基またはベンジルオキシカルボニル基を表し、あるいは、2つの置換基ORが互いにオルト位である場合、2つの置換基Rは一緒になって4個までの炭素原子数1ないし6のアルキル基で置換されていてもよいエチレン基を形成するかまたは炭素原子数2ないし6のアルキリデン基を形成する。)で表される化合物。
IPC (13件):
C07C 43/215 ,  C07C 43/225 ,  C07C 43/285 ,  C07C 43/29 ,  C07C 69/96 ,  C07D307/20 ,  C07D309/12 ,  C08F212/12 MJW ,  C08F222/40 MNE ,  C08F226/02 MNL ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  H05K 3/06
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • ハロゲン化銀画像形成材料
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-245000   出願人:ミネソタマイニングアンドマニュファクチャリングカンパニー

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