特許
J-GLOBAL ID：200903034394580969
ハーフトーン位相シフトマスク及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-185942
公開番号（公開出願番号）：特開2003-005344
出願日： 2001年06月20日
公開日（公表日）： 2003年01月08日
要約：
【要約】【課題】 正確なパターニングが可能なハーフトーン位相シフトマスクを提供する。【解決手段】 ハーフトーン位相シフトマスク20は、透明基板21と、透明基板21上に夫々直接に形成された遮光膜22及びハーフトーン膜23を有する。ハーフトーン膜23は、遮光膜22に形成された第1の開口24内の透明基板21上に形成され、その第1の開口24の内部に第2の開口25を有する。第1及び第2の開口24、25が何れもドライエッチングで形成できるので、開口24、25の寸法精度が向上し、この位相シフトマスク20を利用して製造される半導体装置の寸法精度が向上する。
請求項（抜粋）：
透明基板と、該透明基板上に第1の開口を区画する遮光膜と、前記第1の開口内に第2の開口を区画するハーフトーン位相シフト膜と備えるハーフトーン位相シフトマスクにおいて、前記遮光膜及び前記ハーフトーン位相シフト膜が、前記透明基板上に夫々直接に形成されたことを特徴とするハーフトーン位相シフトマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
