特許

J-GLOBAL ID：200903034394761033

単結晶炭化ケイ素層を有するウエーハの製造方法

発明者： クリストフ・ショルツ ,  フランツ・ケール ,  トーマス・ヴェーバー
出願人/特許権者： ツェーエス・ハルプライター・ウント・ゾラールテクノロジー・ゲーエムベーハー
代理人 (1件)： 竹内 卓 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-280472
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216050
出願日： 1993年10月13日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：

【要約】【目的】 単結晶SiC層を有する大型表面積のウエーハを製造する。【構成】 大型表面積のウエーハを製造するために、単結晶SiC層(4)を、炭化によって核化相(3)が設けられた単結晶Si層(1)上でエピタクシーによって成長せしめる。この単結晶SiC層(4)の上には、多結晶SiC層(5)が蒸着される。次いで、このSi層をエッチングで除去すると、半導体工業のもっとも高度な要求をも満たす単結晶および多結晶SiC層(4、5)とから成るウエーハが得られる。

請求項（抜粋）：

単結晶炭化ケイ素層を単結晶ケイ素層の片面上にエピタクシーによって成長させて単結晶ケイ素層と単結晶炭化ケイ素層との複合物を形成させ、次いで該ケイ素層を除去することによって単結晶炭化ケイ素層を有するウエーハを製造する方法であって、該単結晶炭化ケイ素層が成長する該単結晶ケイ素層の面が、該単結晶炭化ケイ素が成長する前に炭化せしめられて、その結果単結晶炭化ケイ素核形成層を形成せしめること、および多結晶炭化ケイ素層が単結晶炭化ケイ素層と単結晶ケイ素層との該複合物の単結晶炭化ケイ素層上に蒸着されること、生成した単結晶ケイ素層と単結晶炭化ケイ素層および多結晶炭化ケイ素層との複合物を冷却し且つ該ケイ素層をエッチングで除去して、単結晶炭化ケイ素層と多結晶炭化ケイ素層との複合物を得ることを特徴とする前記ウエーハの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/02 ,  C30B 29/36