特許

J-GLOBAL ID：200903034397282683

共振トンネル電界効果トランジスタ

発明者： サイード・エヌ・テラニ ,  ジュン・シェン ,  ハーバート・ゴロンキン ,  ベイモンド・ケイ・スイ
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-094564
公開番号（公開出願番号）：特開平10-032336
出願日： 1997年03月28日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：

【要約】【課題】 共振トンネル電界効果トランジスタが提供される。【解決手段】 シリコン・ベースの材料系で形成され、第1導電接点24,第2導電接点30および制御接点26を含む共振トンネル電界効果トランジスタ10であって、共振トンネル・デバイス14は、電界効果トランジスタ12の第2導電接点30の上に動作可能な形で配置され、外部的にアクセス可能な接点40を確定する。共振トンネル・デバイス14は、シリコン・ベースの材料でも、またはIIIー Vベースの材料でも可能である。

請求項（抜粋）：

共振トンネル電界効果トランジスタであって:シリコン・ベースの材料系で形成され、第1導電接点(20,24),第2導電接点(18,30),および制御接点(26)を含む電界効果トランジスタ(12);および、前記電界効果トランジスタ(12)の前記第2導電接点(18,30)の上に動作可能な形で配置され、外部的にアクセス可能な接点(40)を確定するる共振トンネル・デバイス(14);によって構成されることを特徴とするトランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/66

FI (2件)：

H01L 29/78 301 J ,  H01L 29/66