特許
J-GLOBAL ID:200903034399765827
多結晶シリコン薄膜トランジスタアレイ検査装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
草野 卓 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-223230
公開番号(公開出願番号):特開平7-077553
出願日: 1993年09月08日
公開日(公表日): 1995年03月20日
要約:
【要約】【目的】 液晶注入工程以前の工程において画素欠陥を検査する多結晶シリコンTFTアレイ検査装置を提供する。【構成】 走査用シフトレジスタ30を組み込んだ多結晶シリコン薄膜トランジスタアレイ基板50を液晶表示駆動パターンにより駆動する駆動回路を具備し、アレイ基板50内部の寄生容量Cに蓄積される電荷のデータを1画素P毎に検出する検出回路を具備し、検出された電荷のデータを信号処理して映像信号として出力する信号処理回路を具備し、電荷のデータの1データラインについての平均値と個々の画素毎の電荷のデータとの間の差により画素欠陥の検出をする画像処理装置10を具備する多結晶シリコン薄膜トランジスタアレイ検査装置。
請求項(抜粋):
走査用シフトレジスタを組み込んだ多結晶シリコン薄膜トランジスタアレイ基板を液晶表示駆動パターンにより駆動する駆動回路を具備し、アレイ基板内部の寄生容量に蓄積される電荷のデータを1画素毎に検出する検出回路を具備し、検出された電荷のデータを信号処理して映像信号として出力する信号処理回路を具備し、電荷のデータの1データラインについての平均値と個々の画素毎の電荷のデータとの間の差により画素欠陥の検出をする画像処理装置を具備することを特徴とする多結晶シリコン薄膜トランジスタアレイ検査装置。
IPC (4件):
G01R 31/00
, G01R 31/28
, G02F 1/13 101
, G02F 1/136 500
引用特許:
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