特許

J-GLOBAL ID：200903034400121408

半導体集積回路

発明者： 高田 量司
出願人/特許権者： セイコー電子工業株式会社
代理人 (1件)： 林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-227401
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067960
出願日： 1991年09月06日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：

【要約】【目的】 論理半導体集積回路のグランドバウンスノイズを低減し、スイッチング時間を短くする。【構成】 多段階電圧制御型プリドライバー回路1、内部ロジック回路30、バッファMOSFET10、負荷手段12を有し、まず電源電圧より低い電圧パルスV1 でバッファMOSFET10のゲートを駆動し、出力電圧VOUT が変化した後に遅延回路5,6を通してさらに高い電圧パルスV2 をバッファMOSFET10のゲートに印加する。

請求項（抜粋）：

一つのデータ信号を受けて、電源電圧と同じかそれ以下の電圧値でかつ異なるタイミングの複数のパルスを発生させる多段階電圧制御型プリドライバ回路1と、前記プリドライバ回路の出力にゲート電極が接続されるバッファMOSトランジスタ10と、前記バッファMOSトランジスタ10のゲート以外の電極の一つと電源電圧間に接続される負荷手段12を有するドライバ回路とからなる半導体集積回路。

IPC (4件)：

H03K 19/0175 ,  H03K 17/16 ,  H03K 17/687 ,  H04Q 3/52

FI (2件)：

H03K 19/00 101 F ,  H03K 17/687 A