特許

J-GLOBAL ID：200903034401443360

高品位ビスフエノールA・フエノール結晶アダクトの製造方法

発明者： 坂下 幸司 ,  前島 哲夫 ,  安井 誠 ,  浅岡 佐知夫
出願人/特許権者： 千代田化工建設株式会社
代理人 (1件)： 池浦 敏明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-306524
公開番号（公開出願番号）：特開平5-117194
出願日： 1991年10月25日
公開日（公表日）： 1993年05月14日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 複数の晶析工程を含む、高品位結晶アダクトの経済的な製造方法の提供。【構成】 第1〜第n-1段の各段の晶析工程A-1〜2の晶析生成物を固液分離B-1〜2し、得た結晶アダクトをそのまま又は洗浄液で洗浄した後、フェノ-ル溶液で再溶解C-1〜2して次段の晶析工程に供給し、かつ第n段の晶析工程A-3の晶析生成物を固液分離B-3し、得た結晶アダクトを洗浄液で洗浄して高純度の結晶アダクトを得る方法において、第n番の結晶アダクトの洗浄液に精製フェノ-ルを用い、第n-1段で得た結晶アダクトの再溶解用フェノ-ル溶液に第n段からの結晶アダクトの洗浄排液又は母液を用い、第n-1段の固液分離工程A-2で得た結晶アダクトの洗浄液に第n段からの母液又は結晶アダクトの洗浄排液を用い、第1〜n-1段の各段の結晶アダクト再溶解用フェノ-ル溶液中の不純物濃度と結晶アダクト洗浄液中の不純物濃度を各々次段よりも高くする。

請求項（抜粋）：

ビスフェノ-ルAを含むフェノ-ル溶液を、n(n≧2)段の晶析工程、n段の固液分離工程、少なくとも1段のビスフェノ-ルA・フェノ-ル結晶アダクト洗浄工程及びn-1段の結晶アダクト再溶解工程を含み、第1段目から第n-1段目の各段の晶析工程で得られた晶析生成物を固液分離し、得られた結晶アダクトをそのままあるいは洗浄液で洗浄した後、フェノ-ル溶液で再溶解して次段の晶析工程に供給し、かつ第n段目の晶析工程で得られた晶析生成物を固液分離し、得られた結晶アダクトを洗浄液で洗浄して高純度の結晶アダクトを得る方法において、(a)第n段目の固液分離工程で得られた第n番目の結晶アダクトの洗浄液の少なくとも一部に、精製フェノ-ルを用いること、(b)少なくとも第n-1段目の固液分離工程で得られた結晶アダクトの再溶解用フェノ-ル溶液の少なくとも一部に、第n段目の固液分離工程で得られた結晶アダクトの洗浄排液又は第n段目の固液分離工程で得られた母液を用いること、(c)少なくとも第n-1段目の固液分離工程で得られた結晶アダクトの洗浄液の少なくとも一部に、第n段目の固液分離工程で得られた母液又は第n段目の固液分離工程で得られた結晶アダクトの洗浄排液を用いること、(d)第1段目から第n-1段目までの各段における結晶アダクト再溶解用フェノ-ル溶液中の不純物濃度及び結晶アダクト洗浄液中の不純物濃度が、いずれも次段における結晶アダクト再溶解用フェノ-ル溶液中の不純物濃度及び結晶アダクト洗浄液中の不純物濃度よりも高いこと、を特徴とするヒズフェノ-ルA・フェノ-ル結晶アダクトの製造方法。

IPC (5件)：

C07C 39/16 ,  C07C 37/70 ,  C07C 37/82 ,  C07C 37/84 ,  C07C 39/04