特許

J-GLOBAL ID：200903034406105528

SiC焼結体の接合体、それを用いた半導体製造用部材、及びその製造方法

発明者： 露木 龍也 ,  鈴木 俊一 ,  市島 雅彦
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 高 雄次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-341881
公開番号（公開出願番号）：特開2002-145677
出願日： 2000年11月09日
公開日（公表日）： 2002年05月22日
要約：

【要約】【課題】 常に高接合強度の接合体とし得るSiC焼結体の接合体を提供する。【解決手段】 嵩密度2.8g/cm3 以上の常圧焼結SiC焼結体1,2同士がSiからなる接合部3及び常圧焼結SiC焼結体同士の接合面に開口する開気口1a,2aに充填されて接合部と一体のSiからなる充填部4,5を介して接合されている。

請求項（抜粋）：

嵩密度2.8g/cm3 以上の常圧焼結SiC焼結体同士がSiからなる接合部及び常圧焼結SiC焼結体同士の接合面に開口する開気孔に充填されて接合部と一体のSiからなる充填部を介して接合されていることを特徴とするSi焼結体の接合体。

IPC (2件)：

C04B 37/00 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

C04B 37/00 A ,  H01L 21/302 B

Fターム (13件)：

4G026BA14 ,  4G026BB14 ,  4G026BC01 ,  4G026BD14 ,  4G026BF01 ,  4G026BF42 ,  4G026BF44 ,  4G026BG02 ,  4G026BG23 ,  4G026BH06 ,  5F004AA14 ,  5F004AA15 ,  5F004BB29

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭60-161384
  
• 特開昭60-161384