半導体圧力センサ

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：伊藤洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-140556
公開番号（公開出願番号）：特開2002-340713
出願日： 2001年05月10日
公開日（公表日）： 2002年11月27日
要約：

【要約】【課題】主表面が(100)面である半導体基板を用いたダイアフラム式の半導体圧力センサにおいて、検出圧力の微圧化を図った場合でも、金属配線のクリープ応力によるセンサ出力の変動を抑制できるようにする。【解決手段】矩形板状のシリコン基板10の(110)面である主表面11側には、圧力検出用のダイアフラム12と、ダイアフラム12の歪みに伴う抵抗値変化に基づく検出信号出力用の拡散ゲージ抵抗Rc、Rsと、ダイアフラム12の外側の厚肉部に形成された金属配線21〜24とが形成され、ダイアフラムの面積Sμm<SP>2</SP>、厚さdμmの比S/dが100μmよりも大きい。そして、金属配線21〜24は、シリコン基板10において<110>結晶軸に平行な第1の辺10a側に位置する部分の面積が、<100>結晶軸に平行な第2の辺10b側に位置する部分の面積よりも大きい。

請求項（抜粋）：

主表面(11)が(110)面である矩形板状の半導体基板(10)と、前記半導体基板の前記主表面に形成された薄肉部としての圧力検出用のダイアフラム(12)と、このダイアフラムに形成され前記ダイアフラムの歪みに伴う抵抗値変化に基づく検出信号を出力するための拡散ゲージ抵抗(Rc、Rs)と、前記ダイアフラムの外側の厚肉部における前記半導体基板の前記主表面に形成された金属配線(21、22、23、24)と、を備え、前記ダイアフラムの面積をSμm<SP>2</SP>、前記ダイアフラムの厚さをdμmとしたとき、比S/dが100よりも大きいものであり、前記半導体基板における<110>結晶軸に平行な辺を第1の辺(10a)、前記半導体基板における<100>結晶軸に平行な辺を第2の辺(10b)としたとき、前記第1の辺側に位置する前記金属配線の面積が前記第2の辺側に位置する前記金属配線の面積よりも大きいことを特徴とする半導体圧力センサ。

IPC (2件)：

G01L 9/04 101 , H01L 29/84

FI (2件)：

G01L 9/04 101 , H01L 29/84 B

Fターム (22件)：

2F055AA40 , 2F055BB20 , 2F055CC02 , 2F055DD05 , 2F055EE14 , 2F055FF11 , 2F055GG15 , 4M112AA01 , 4M112BA01 , 4M112CA03 , 4M112CA04 , 4M112CA05 , 4M112CA08 , 4M112CA13 , 4M112DA04 , 4M112DA12 , 4M112DA17 , 4M112DA18 , 4M112EA07 , 4M112EA14 , 4M112FA01 , 4M112FA06

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