特許
J-GLOBAL ID：200903034418683403
磁気ディスクの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-033894
公開番号（公開出願番号）：特開平7-244849
出願日： 1994年03月03日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：
【要約】【目的】基板半径方向の膜厚を一定に保持しつつ、膜厚制御とは独立に磁気特性を制御する新規な磁気ディスクの製造方法を実現する。【構成】プラズマスパッタ法によりディスク基板に少なくとも下地膜を成膜するに際し、プラズマリングの半径を変化させ、成膜中にエロージョンとディスク基板との相対位置を変えて基板へ入射する粒子の方向を制御することにより磁気特性を制御すると共に、プラズマ電力と成膜時間とを制御することにより粒子の入射方向からの成膜量を制御する。【効果】内周から外周方向に正の残留磁束密度勾配を保持した状態で磁気ディスクの半径方向の保磁力分布幅を、150 Oeの範囲で任意に制御できる。保磁力Hcを内周から外周方向に増減させ、正もしくは負の任意の保磁力勾配を付与することができ、高密度記録に適した磁気ディスクを容易に得ることのできる。
請求項（抜粋）：
ターゲットとディスク基板とを所定距離を置いて互いに平行に対向させ、前記ターゲット上にプラズマリングを発生させると共に、プラズマ半径を調節して基板半径方向にプラズマを移動させながら基板上に下地膜及び磁性膜の少なくとも一方の膜を形成する成膜工程を有する磁気ディスクの製造方法であって、前記成膜工程を、プラズマリングの半径を調節して成膜中にエロージョンと基板との相対位置を変えて基板へ入射する粒子の方向を制御すると共に、粒子の入射方向からの成膜量を制御し、基板半径方向の膜厚を一定に保持しつつ、膜厚制御とは独立に磁気特性を制御する成膜工程として成る磁気ディスクの製造方法。
IPC (3件)：
G11B 5/85
, C23C 14/34
, C23C 14/35
