半導体装置の実装構造

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早瀬憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-199537
公開番号（公開出願番号）：特開平11-045909
出願日： 1997年07月25日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：

【要約】【課題】半導体装置から生じた熱を効果的に放熱する。マイクロストリップ型の伝送線路の構成を実現し、これにより、高周波領域においても損失の低い実装構造を提供する。半導体装置を簡単かつ高精度に位置決めできる実装構造を提供する。【解決手段】本発明の実装構造では、半導体装置101の表面102側を外側に配置した。半導体装置101の裏面103側に形成したグランド面106と基板108のグランド110とを電気的に接続した。この接続は、半導体装置101に形勢したバイアホール104とバンプ105を介して行った。バンプ105は、基板108に設けた凹部111と係合させた。

請求項（抜粋）：

形成された半導体素子を含む半導体装置が半導体実装用基板上に配置された半導体装置の実装構造において、半導体装置の表面側に半導体素子が形成されると共に、裏面側にグランド電位面が形成され、且つリード線およびグランド電位層を含む基板配線が半導体基板上に形成されており、上記半導体素子の素子配線と半導体装置の裏面側に形成されたバンプとが、半導体装置の表面側と裏面側とを連通するバイアホールを介して電気的に接続されていると共に、上記基板配線のリード線に電気的に接続された状態で半導体実装用基板に凹部が形成されており、上記凹部と上記バンプとが係合することにより、上記素子配線と上記リード線とが電気的に接続され且つ上記グランド電位面とグランド電位層とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置の実装構造。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 , H01L 23/12 301

FI (2件)：

H01L 21/60 311 S , H01L 23/12 301 J

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平1-143502
特開平4-199524
半導体装置実装用基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-175650 出願人：松下電工株式会社

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