特許

J-GLOBAL ID：200903034424622211

誘電体構造形成方法及び誘電体構造を備えた半導体素子

発明者： ジョン エム.グラント
出願人/特許権者： シャープ株式会社 ,  シャープ・マイクロエレクトロニクス・テクノロジー・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-008091
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306907
出願日： 1997年01月20日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】 改善された特性を有する誘電体構造を、反応性基板の表面上に形成する。【解決手段】 本発明の誘電体構造の製造は、ある製造環境内で行われる。この製造環境は、まず基板12と反応して第1の誘電体副領域20を形成する第1の試剤で充填され、引き続き、基板12に反応して第2の誘電体副領域18を形成する第2の試剤で充填される。第1の試剤は、亜酸化窒素などの窒素含有流体の形態を呈するものであり、その結果として得られる第1の誘電体副領域20は、第1の高い破壊電界及び第1の高い界面トラップ密度を有することを特徴とする。第2の試剤は、実質的に純粋な酸素の形態を呈するものであり、その結果として得られる誘電体構造全体は、第2の高い破壊電界及び第2の低い界面トラップ密度を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

製造環境内に設けられた反応性基板上に誘電体構造を形成する方法であって、該方法が、(A)窒素含有試剤で該環境を充填することによって、第1の誘電体副領域を形成する工程と、(B)該第1の誘電体副領域を通過し且つ該基板と反応する実質的に純粋な酸素試剤で該環境を充填することによって、該第1の誘電体副領域と該基板との中間に第2の誘電体副領域を形成する後工程であって、該第2の誘電体副領域が約25Åより小さい厚さを有する、後工程と、を包含する、誘電体構造形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 21/318 A ,  H01L 21/316 S