半導体レーザ素子およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-248147
公開番号（公開出願番号）：特開平7-115242
出願日： 1993年10月04日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：

【要約】【目的】広く、かつ、浅いメサ構造であっても低容量化を実現した半導体レーザ素子およびその製造方法を得ることを目的とする。【構成】従来のメサ型半導体レーザ素子に比べてメサ幅は約8μmであり、メサ高さは約3μmの広く浅いメサとなっている。また、メサの側面の表面から約3μmに渡ってプロトン注入による絶縁領域7が設けられている。【効果】逆バイアス層によって形成された電流狭窄部を有するメサの側面に絶縁領域を設けることにより、メサ幅の拡幅に伴う寄生容量の増加を抑制することができるので、メサ幅が広く、メサの頂上部における電極の形成が容易な半導体レーザ素子を得ることができる。

請求項（抜粋）：

逆バイアス層によって通電可能な領域を制限する構造の電流狭窄部を有し、頂上部に電極を設けたメサ型の半導体レーザ素子において、前記メサの側面に所定のイオンを注入して絶縁領域を設けたことを特徴とする半導体レーザ素子。

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