特許

J-GLOBAL ID：200903034427637422

カーボンナノチューブの製造方法およびその製造装置

発明者： 吉田 功 ,  徳永 誠一
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 森下 賢樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-272613
公開番号（公開出願番号）：特開2003-081617
出願日： 2001年09月07日
公開日（公表日）： 2003年03月19日
要約：

【要約】【課題】 層数を制御したカーボンナノチューブを大量合成する方法を提供する。【解決手段】 カーボンナノチューブ製造装置10に、カーボンナノチューブの成長領域16に磁場を生じさせる磁場印加部22とその磁場強度を制御する磁場制御部24を設けることにより、成長領域16における磁性を有する触媒の移動速度を制御する。

請求項（抜粋）：

反応容器内に供給した炭素を含む原料ガスを触媒とともにその容器内の所定の領域において加熱することによりカーボンナノチューブを製造する方法であって、前記触媒が供給される場から、成長したカーボンナノチューブが捕集される場に沿って磁場を生じさせ、その磁場の強度および方向を制御することにより前記領域を外力により移動させられる前記触媒の前記領域における移動速度を制御することを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。

IPC (2件)：

C01B 31/02 101 ,  D01F 9/133

FI (2件)：

C01B 31/02 101 F ,  D01F 9/133

Fターム (15件)：

4G046CA02 ,  4G046CC02 ,  4G046CC08 ,  4G046CC09 ,  4L037AT05 ,  4L037CS03 ,  4L037CT21 ,  4L037FA02 ,  4L037PA09 ,  4L037PA11 ,  4L037PA21 ,  4L037PA28 ,  4L037PC11 ,  4L037UA02 ,  4L037UA04