特許
J-GLOBAL ID：200903034432935903
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-305343
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148564
出願日： 1995年11月24日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：
【要約】【課題】半導体装置を構成するMOSトランジスタが超微細化した場合でも、バンド間トンネルを抑制しリーク電流を減少させる。【解決手段】絶縁ゲート電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極が互いに導通のとれた第1のゲート電極と第2のゲート電極とで構成され、前記第1のゲート電極はゲート絶縁膜を介してチャネル部の上に存在し、前記第2のゲート電極は絶縁膜を介してソース・ドレイン領域の上に存在し、前記第2のゲート電極が、前記ソース・ドレイン領域の導電型とは逆の導電型の多結晶半導体膜で形成される。
請求項（抜粋）：
絶縁ゲート電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極が互いに導通のとれた第1のゲート電極と第2のゲート電極とで構成され、前記第1のゲート電極はゲート絶縁膜を介してチャネル部の上に存在し、前記第2のゲート電極は絶縁膜を介してソース・ドレイン領域の上に存在し、前記第2のゲート電極が、前記ソース・ドレイン領域の導電型とは逆の導電型の多結晶半導体膜で形成されていることを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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