特許

J-GLOBAL ID：200903034437283084

半導体装置及びその製造方法

発明者： 今須 誠士 ,  小林 恒雄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-235626
公開番号（公開出願番号）：特開平10-083992
出願日： 1996年09月05日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：

【要約】【課題】CCB半田電極を形成するために用いられる半田の余剰分によって引き起こされるショート不良を防止することが可能な技術を提供する。【解決手段】 CCB半田電極7が形成されるバリア金属層6aの周囲に、これを囲むようにこのバリア金属層6aと分離されて半田吸収用金属層として働くバリア金属層6bがリング状に形成されている。これにより、半田層11aを溶融してCCB半田電極7を形成するとき、半田層11aに余剰分が存在していたとしても、この余剰分はバリア金属層6bに付着して吸収されるようになる。従って、半田の余剰分はバリア金属層6bに固定されるため移動しない。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された配線を覆う絶縁保護膜にコンタクトホールが開口され、このコンタクトホールから前記絶縁保護膜の表面まで延長するようにバリア金属層が形成され、このバリア金属層にCCB半田電極が接続されてなる半導体装置であって、前記バリア金属層の周囲にこのバリア金属層と分離された半田吸収用金属層が形成されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

FI (4件)：

H01L 21/92 602 H ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 604 C ,  H01L 21/92 604 Q