特許
J-GLOBAL ID：200903034437913916
半導体素子製造用コンタクトマスク
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中川 周吉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-160916
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074694
出願日： 1997年06月18日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：
【要約】【課題】 ガードリングパターンが形成されたコンタクトマスクを利用したコンタクトホール形成工程の際、ガードリング領域において絶縁層の過度な蝕刻による感光膜が浮く現象を防止するためのものである。【解決手段】 コンタクトマスクの或る一つのガードリングホールパターンの側部にガードリングホールパターンが形成されないことにより蝕刻工程時、或る一つのガードリングホールの側部にガードリングホールが形成されない。したがってガードリングホール領域において感光膜と絶縁層間に充分な接触面積が存在するようになりコンタクトホールの側面を構成する絶縁層の過度な蝕刻による感光膜の浮き現象を防止することができる。
請求項（抜粋）：
半導体素子製造用コンタクトマスクにおいて、光を透過する材質でなる基板と、ウェーハに形成されたダイスの縁に対応する状態で前記基板に形成された多数のガードリングホールパターンと、前記各ガードリングホールパターンと離隔された状態で前記各ガードリングホールパターンの内側に形成されたガードリングパターンと、前記ガードリングパターンの内側に形成された多数のコンタクトパターンとによりなることを特徴とする半導体素子製造用コンタクトマスク。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, H01L 21/3213
, H01L 21/768
H01L 21/30 502 P
, H01L 21/88 C
, H01L 21/90 D
