特許
J-GLOBAL ID：200903034439063073
ドライリソグラフィ・エッチング用プロセス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡部 正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-129400
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330288
出願日： 1996年05月24日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、ドライリソグラフィ・エッチング用プロセスを提供する。【解決手段】 クロム又はクロムを含む化合物層のような、酸素、塩素、及び窒素の気体混合物をエッチャント物質としてエッチングできる材料層のパターン形成は、シリコン又はゲルマニウムを含むポリマのようなパターン形成された有機金属レジストを用いて、実現される。塩素及び酸素の気体混合物は、クロムを非等方的にエッチングするが、クロムのある程度のアンダーカットがなお観測される。このアンダーカットは、気体混合物に窒素を加えることにより、制御又は除去できる。このようにしてパターン形成された材料層は、リソグラフィマスク又はX線マスク、eビームマスク又は半導体集積回路又は他のデバイス中の他の下の層を直接パターン形成するためのレティクルとして、使用できる。
請求項（抜粋）：
(a) 基板の表面上に、材料層を形成する工程;(b) 材料層の表面上に、本質的に一様な組成を有する有機金属レジスト層を、形成する工程;(c) 有機金属レジスト層をパターン形成し、それによってパターン形成された有機金属レジスト層が形成され、それによって材料層の表面の一部が、露出された部分になる工程;及び(d) 材料層の表面の露出された部分を、酸素、塩素及び窒素の気体混合物で、非等方的にエッチングし、気体混合物は約0.1体積パーセントないし約70体積パーセントの窒素を含み、それによって材料層の露出された部分がエッチングされる工程を含む酸素、塩素及び窒素を含む気体混合物によりエッチングできる材料層のリソグラフィ・エッチング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/027
H01L 21/302 F
, H01L 21/30 572 A
