特許

J-GLOBAL ID：200903034441339876

半導体装置

発明者： 伊藤 健志
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-203808
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058240
出願日： 1993年08月18日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 薄膜多層配線を用いたマルチチップモジュールにおいて、ボンディングパッド下に配線が通せ、特性インピーダンスのコントロールにも優れた構成を持つマルチチップモジュールを提供しようとするものである。【構成】 薄膜配線部30のボンディングパッド33下に配線を通す場合に、薄膜配線を使用せず薄膜配線部30の下に設けられた厚膜配線20で迂回し、ボンディングパッド下の絶縁膜の厚さを充分とった構成にしている。従ってボンディングダメージによる前記絶縁膜の破壊やこれに起因する導体間の短絡といった不良が発生しなくなる。またセラミックベース基板あるいはセラミック多層基板10の上部に厚膜でグランドプレーン27を形成し、このグランドプレーンを基準にし、厚膜グランドプレーン上の厚膜絶縁層の膜厚と薄膜絶縁層の膜厚で薄膜配線のインピーダンスをコントロールをしている。

請求項（抜粋）：

セラミックベース基板と、前記セラミックベース基板上に形成され、薄膜配線層と薄膜絶縁層とが交互に積層された薄膜多層配線部と、前記薄膜多層配線部の表層に載置され、前記薄膜多層配線部表層の複数のボンディングパッドとボンディングによって接続される半導体チップと、前記薄膜多層配線部表層の少なくとも一部のボンディングパッドと前記セラミックベース基板の間に形成され、少なくとも前記一部のボンディングパッドに前記薄膜絶縁層を介して対応する領域を有し、前記薄膜配線層に接続される厚膜配線層とを具備していることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/522 ,  H01L 25/04 ,  H01L 25/18

FI (3件)：

H01L 23/12 N ,  H01L 23/52 B ,  H01L 25/04 Z