特許

J-GLOBAL ID：200903034442395532

半導体レーザモジユール

発明者： 清水 春仁
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-235758
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055710
出願日： 1991年08月23日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】 半導体レーザモジュールの半導体レーザの発振条件を安定させるため、半導体レーザの温度制御を精度よく行う。【構成】 ヒートシンク8の同一面上に半導体レーザ1とその温度センサであるサーミスタ4を設置し、電子冷却素子5から見て半導体レーザ1とサーミスタ4の熱抵抗を同じにする。電子冷却素子5はサーミスタ4の温度検出結果により制御されるので、半導体レーザ1は精度よく温度制御される。

請求項（抜粋）：

レーザ光を出射する半導体レーザと、前記半導体レーザの温度を検出するための温度センサと、前記温度センサから出力される検出信号により前記半導体レーザを冷却するための電子冷却素子と、前記半導体レーザと前記温度センサが同一面上に固定されるヒートシンクとから構成される半導体モジュール。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 23/38

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-075394
  
• 特開平3-048477
  
• 特開平4-075394
  
• 特開平1-318275