特許
J-GLOBAL ID：200903034451446409
薄膜トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-058348
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275831
出願日： 1993年03月18日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【目的】二ホト工程で作成できる正スタガ構造薄膜トランジスタの光リーク電流を抑制する。【構成】絶縁層の少なくとも一部を波長500nmの光に対する吸収係数が10-4cm以上である光吸収材料を用いて構成する。【効果】光リーク電流が1桁程度減少する。
請求項（抜粋）：
基板上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に形成された一対のドープ用元素を含む半導体層と、前記一対のドープ用元素を含む半導体層上にまたがって基板上に形成された半導体活性層と、前記半導体活性層上に絶縁層を介して積層されたゲート電極を備えた薄膜トランジスタ素子において、絶縁層の少なくとも一部を波長が500nmの光に対する吸収係数が10-4cm以上である光吸収材料を用いて構成したこと特徴とする薄膜トランジスタ素子。
IPC (2件)：
H01L 29/784
, H01L 21/318
