特許

J-GLOBAL ID：200903034456008574

半導体素子用基板の製造方法および半導体素子用基板ならびに半導体素子

発明者： 和田 貢 ,  国安 利明 ,  福永 敏明 ,  堀田 吉則
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (2件)： 柳田 征史 ,  佐久間 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-194637
公開番号（公開出願番号）：特開2004-059325
出願日： 2002年07月03日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】広範囲に亘って欠陥密度が低い半導体素子用基板を得る。【解決手段】ベース基板1上に多数の微細孔を有するポーラスな陽極酸化アルミナ膜3を設ける。このアルミナ膜3をマスクとして、ベース基板1の表面をエッチング処理して該ベース基板1の表面に多数の微細な穴1bを形成する。アルミナ膜3を除去し、その後、ベース基板1の表面にGaN層2を結晶成長させる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

ベース基板上に、多数の微細孔を有するポーラスな陽極酸化アルミナ膜を設け、該アルミナ膜をマスクにして前記ベース基板の表面をエッチング処理して該表面に多数の微細な穴を形成し、前記アルミナ膜を除去し、その後、前記ベース基板の表面にGaN層を結晶成長させることを特徴とする半導体素子用基板の製造方法。

IPC (4件)：

C30B25/04 ,  C30B29/38 ,  H01L29/201 ,  H01S5/343

FI (4件)：

C30B25/04 ,  C30B29/38 D ,  H01L29/201 ,  H01S5/343 610

Fターム (15件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077TB05 ,  4G077TC17 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB22 ,  5F073DA32 ,  5F073DA33