特許

J-GLOBAL ID：200903034456688117

炭酸ジエステルの製造方法

発明者： 山 田 伸 広 ,  外 崎 正 夫 ,  小 山 武 志 ,  森 憲 二
出願人/特許権者： 日揮株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 俊一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-171330
公開番号（公開出願番号）：特開平6-287166
出願日： 1992年06月29日
公開日（公表日）： 1994年10月11日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、上記のような従来技術に鑑みてなされたものであり、触媒成分としてハロゲンを含有する触媒の存在下に気相法により炭酸ジエステルを製造するに際して、装置を腐蝕させることなく長期間に亘り安定して炭酸ジエステルを製造しうる炭酸ジエステルの製造方法を提供することを目的としている。【構成】 本発明に係る炭酸ジエステルの製造方法は、ハロゲン含有触媒の存在下に、気相反応条件下にて炭酸ジエステルを生成する工程と、得られた反応生成ガスを固体状脱ハロゲン剤に接触させて反応生成ガスを脱ハロゲン処理する工程と、脱ハロゲン処理された反応生成ガスを冷却して凝縮液と未凝縮ガスとに分離する工程と、分離された凝縮液から炭酸ジエステルを回収する工程とからなることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

ハロゲン含有触媒の存在下に、気相反応条件下にて炭酸ジエステルを生成する工程と、得られた反応生成ガスを固体状脱ハロゲン剤に接触させて反応生成ガスを脱ハロゲン処理する工程と、脱ハロゲン処理された反応生成ガスを冷却して凝縮液と未凝縮ガスとに分離する工程と、分離された凝縮液から炭酸ジエステルを回収する工程とからなることを特徴とする炭酸ジエステルの製造方法。

IPC (6件)：

C07C 69/96 ,  B01J 27/08 ,  B01J 27/122 ,  B01J 27/128 ,  C07C 68/00 ,  C07B 61/00 300