特許
J-GLOBAL ID：200903034465039946
マイクロ波集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-248669
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090801
出願日： 1991年09月27日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【目的】マイクロ波集積回路全体を大幅に小型化するため、マイクロストリップライン構造の分布定数回路による受動素子をモノリシック型で構成する。【構成】半絶縁性化合物半導体の基板1の一主面に形成した接地電極2を備える。この接地電極上に生成した誘電体膜5を備える。誘電体膜5上に形成し受動素子を形成する配線電極6を備える。
請求項（抜粋）：
半絶縁性化合物半導体の基板の一主面に形成した能動素子および第一の接地電極と、前記基板の前記一主面の反対側の面である裏面に形成し前記基板を貫通する貫通孔により前記第一の接地電極と電気的に接続する第二の接地電極と、前記第一の接地電極上に生成した誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成し前記能動素子を機能させる分布定数型の受動素子および伝送線路用の配線パターンを形成する配線電極とを備えることを特徴とするマイクロ波集積回路。
IPC (5件)：
H01P 3/08
, H01L 27/06
, H01P 1/203
, H01P 5/08
, H03F 3/60
