特許

J-GLOBAL ID：200903034465869981

薄膜形成方法ならびにこれを用いた薄膜構造体の製造装置、半導体装置の製造方法、および電気光学装置の製造方法

発明者： 足助 慎太郎
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-324120
公開番号（公開出願番号）：特開2003-126760
出願日： 2001年10月22日
公開日（公表日）： 2003年05月07日
要約：

【要約】【課題】 基板上に塗布液を塗布して薄膜を形成する方法において。塗布液の無駄を低減させて生産コストの削減を図るとともに、薄膜の面内均一性の向上および輪郭の鮮明性の向上を実現する。【解決手段】基板S上の薄膜を形成する領域の輪郭部上に、インクジェット法により第1の塗布液を吐出して土手部21を形成する工程と、土手部21で囲まれた池部23内に、第1の塗布液と略同一組成の膜構成成分を含有する第2の塗布液を、インクジェット法により吐出する工程を有することを特徴とする薄膜形成方法。

請求項（抜粋）：

基板上に塗布液を塗布して薄膜を形成する方法であって、前記基板上の前記薄膜を形成する領域の輪郭部上に、インクジェット法により第1の塗布液を吐出して土手部を形成する工程と、前記土手部で囲まれた池部内に、前記第1の塗布液と略同一組成の膜構成成分を含有する第2の塗布液を、インクジェット法により吐出する工程を有することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (5件)：

B05D 1/26 ,  G03F 7/16 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/768

FI (5件)：

B05D 1/26 Z ,  G03F 7/16 ,  H01L 21/285 Z ,  H01L 21/30 564 Z ,  H01L 21/90 Q

Fターム (22件)：

2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025EA04 ,  4D075AC07 ,  4D075AC08 ,  4D075BB61X ,  4D075CA47 ,  4D075DA06 ,  4D075DA31 ,  4D075DB13 ,  4D075DB31 ,  4D075DC24 ,  4D075EA07 ,  4D075EA21 ,  4D075EA45 ,  4D075EB52 ,  4M104DD51 ,  4M104DD77 ,  5F033PP26 ,  5F033SS21 ,  5F046JA02 ,  5F046JA27