特許

J-GLOBAL ID：200903034469821029

半導体装置

発明者： 中尾 広宣
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 古谷 栄男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-334347
公開番号（公開出願番号）：特開平6-181319
出願日： 1992年12月15日
公開日（公表日）： 1994年06月28日
要約：

【要約】【目的】 正確な読み出しを行なう事が可能な半導体装置の提供を目的とする。【構成】 書込の際は、図1Aのように、ソース2に高電圧を印加し、ソース2からドレイン4に飛出す電子によってチャネル80を形成する。選択ゲート20に低電圧を印加すると、選択ゲート14、基板1間に電界が集中し、電子の一部がホットエレクトロンとなり高電圧を印加した制御ゲート14方向に引き付けられる。引き付けられたホットエレクトロンはN(窒化)膜10のソース2側にトラップされ、情報が書込まれる。読み出しの場合は、図1Bのようにドレイン4に高電圧を印加して空乏層100がドレイン4近傍に広がっても、情報が書込まれた箇所に達することがない。したがって、N(窒化)膜10に電子がトラップされている(情報が書込まれている)か否かを正確に検出する事が可能となる。

請求項（抜粋）：

基板内に設けられたソース領域、基板内に設けられ、ソース領域と間に電路形成可能領域を形成するように設けられたドレイン領域電路形成可能領域上に設けられたトラップ膜、トラップ膜上に設けられた制御電極、ソース側の電路形成可能領域上に電路形成可能領域と絶縁して設けられており、制御電極の側面に制御電極と絶縁して設けられた側導電層、を備えたこと特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-082082
  
• 特開平3-254160
  
• 特開昭63-099574