特許
J-GLOBAL ID：200903034472301362
半導体装置作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-064839
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326768
出願日： 1995年02月27日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：
【要約】【目的】 薄膜珪素膜を用いた半導体装置の特性を向上させる。【構成】 ガラス基板11上に形成された珪素膜12にバリア層である窒化珪素膜23を介して水素イオンを注入することにより、珪素膜12内の珪素の不対結合手を中和し、珪素膜12内における準位を低下させる。そしてこの珪素膜を用いてTFTを作製することで、特性の優れたTFTを得ることができる。
請求項（抜粋）：
薄膜トランジスタの作製方法であって、活性層を形成する工程と、該活性層上にゲイト絶縁膜を形成する工程と、前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成する工程と、前記ゲイト絶縁膜及び前記ゲイト電極を覆って窒化珪素膜を形成する工程と、前記ゲイト絶縁膜と前記窒化珪素膜とを介して前記活性層に水素、フッ素、塩素から選ばれた一種または複数種類のイオンを注入する工程と、を有することを特徴とする半導体装置作製方法。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/265
H01L 29/78 627 E
, H01L 21/265 H
, H01L 21/265 A
, H01L 21/265 Z
