特許
J-GLOBAL ID：200903034472556646
半導体装置の製造工程のフィードバック方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡▲崎▼ 信太郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-351015
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186132
出願日： 1997年12月19日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 半導体製造工程において、素子の線幅精度の向上により素子の微細化、高集積化が可能になることでデバイス性能の向上を図ることができるとともに、生産性の向上を図ることができる半導体製造工程の製造工程のフィードバック方法を提供すること。【解決手段】 半導体装置の製造プロセスのリソグラフィー工程で既に処理された数ロットの工程内プロセス品質制御データに基づいて、これから着工するロットの処理条件を決定するフィードバック方法であって、配線幅を露光量に換算するための回帰係数Dを加重価を基にして加重移動平均して求め、この回帰係数を基にしてフィードバック値を求めるアルゴリズムを加重価を基にして加重移動平均して求めることを特徴とする半導体装置の製造工程のフィードバック方法。
請求項（抜粋）：
半導体装置の製造プロセスのリソグラフィー工程で既に処理された数ロットの工程内プロセス品質制御データに基づいて、これから着工するロットの処理条件を決定するフィードバック方法であって、配線幅を露光量に換算するための回帰係数を、加重価を基にして加重移動平均して求め、この回帰係数を基にしてフィードバック値を求めるアルゴリズムを、加重価を基にして加重移動平均して求めることを特徴とする半導体装置の製造工程のフィードバック方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 502 G
, H01L 21/02 Z
