特許
J-GLOBAL ID：200903034477825181

パワーモジュール

発明者：
高良 正行

高良 正行 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-274537
公開番号（公開出願番号）：特開2002-095238
出願日： 2000年09月11日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：
【要約】【課題】 スナバ回路部を含んだパワーモジュールの小型化及びスナバ回路部の応答性の向上を図る。【解決手段】 スナバ回路部10はスイッチング部50に並列に設けられている。スナバ回路部10は、スナバ回路部用スイッチング素子としてのIGBT11と、抵抗15と、選択導通素子としての定電圧ダイオード16と、ダイオード19とを備える。スイッチング素子の各電極12,13,14はIGBT11のゲート,エミッタ,コレクタに対応する。電極12,13間に抵抗15が接続されている。定電圧ダイオード16のカソード及びアノードはそれぞれ電極14及びダイオード19のアノードに接続されており、ダイオード19のカソードは電極12に接続されている。パワーモジュール101ではスイッチング部50及びスナバ回路部10の全体がケース40内に収納されている。
請求項（抜粋）：
第1電極及び第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた少なくとも1つの電力用半導体スイッチング素子とを有するスイッチング部と、前記第1電極と前記第2電極との間に前記スイッチング部と並列に設けられたスナバ回路部と、ケースとを備え、前記スナバ回路部は、前記第1電極に接続された第3電極と、前記第2電極に接続された第4電極と、制御電極とを有するスナバ回路部用半導体スイッチング素子と、前記第3電極と前記制御電極との間に接続された抵抗と、前記第4電極と前記制御電極との間に接続された、印加電圧が所定値を越えると導通する選択導通素子とを備え、少なくとも前記電力用半導体スイッチング素子,前記スナバ回路部用半導体スイッチング素子及び前記抵抗が前記ケース内に収納されていることを特徴とする、パワーモジュール。
Fターム (6件)：
5H740BA11 ,  5H740BB01 ,  5H740BC01 ,  5H740BC02 ,  5H740MM03 ,  5H740PP02
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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