特許
J-GLOBAL ID：200903034478019138
半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-143478
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321949
出願日： 1997年05月16日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【課題】 低駆動電力で動作し、長寿命のGaN系窒化物半導体の半導体レーザを提供する。【解決手段】 p型GaN系窒化物半導体基板11上にp型GaN系窒化物半導体層12が積層され、その上に、少なくとも1つのp-n接合を含むGaN系窒化物半導体積層構造13,14,15,16からなる半導体レーザ構造が形成されている。積層構造13,14,15,16の最上部層16は、n型GaN系窒化物半導体層からなり、p型GaN系窒化物半導体基板11の裏面とn型GaN系窒化物半導体層16の表面には、それぞれの導電型に対応した電極,すなわちp側電極19とn側電極18とが形成されている。そして、各々の電極19,18から、電流を注入することによって、レーザ発振を行なわせることができる。
請求項（抜粋）：
p型GaN系窒化物半導体基板上に、少なくとも1つのp-n接合を含むGaN系窒化物半導体積層構造が形成されており、前記積層構造の最上部は、n型GaN系窒化物半導体層となっており、前記p型GaN系窒化物半導体基板の裏面と前記積層構造の最上部のn型GaN系窒化物半導体層の表面とには、それぞれの導電型に対応した電極が形成され、この電極に電流を注入することによりレーザ発振を行なわせることを特徴とする半導体レーザ。
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