特許
J-GLOBAL ID:200903034485392413
高温超伝導素子の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
佐藤 隆久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-012384
公開番号(公開出願番号):特開2000-216446
出願日: 1999年01月20日
公開日(公表日): 2000年08月04日
要約:
【要約】【課題】電気抵抗によるエネルギーロスが少なく、高速で動作する高温超伝導素子の製造方法を提供する。【解決手段】所定の結晶格子構造を有する基体上に、所定のパターンのレジストを形成する工程と、前記レジストをマスクとして前記基体に、超伝導体を構成する元素を供給する工程と、前記レジストを除去する工程と、前記基体に熱処理を行い、前記元素を前記基体の結晶格子に導入する工程とを有する高温超伝導素子の製造方法。
請求項(抜粋):
所定の結晶格子構造を有する基体上に、所定のパターンのレジストを形成する工程と、前記レジストをマスクとして前記基体に、超伝導体を構成する元素を供給する工程と、前記レジストを除去する工程と、前記基体に熱処理を行い、前記元素を前記基体の結晶格子に導入する工程とを有する高温超伝導素子の製造方法。
Fターム (10件):
4M113AA52
, 4M113AB07
, 4M113AC44
, 4M113BA28
, 4M113BB07
, 4M113BC01
, 4M113BC08
, 4M113CA31
, 4M113CA44
, 4M113CA47
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