特許

J-GLOBAL ID：200903034486028782

軟磁性薄膜

発明者： 大沼 繁弘 ,  松本 文夫 ,  藤森 啓安 ,  増本 健
出願人/特許権者： 株式会社アモルフアス・電子デバイス研究所
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-260294
公開番号（公開出願番号）：特開平5-101930
出願日： 1991年10月08日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】本発明は、成膜後に熱処理を施さなくても高い透磁率を高周波帯域まで保持できる高い飽和磁束密度を有する軟磁性薄膜を提供することを目的とする。【構成】本発明は、Feを主とする磁性層と高電気抵抗を有する磁性層を両磁性層間に非磁性層を挾むことなく交互に積層して構成する。

請求項（抜粋）：

Feを主とする磁性層と高電気抵抗を有する磁性層を両磁性層間に非磁性層を挾むことなく交互に積層したことを特徴とする軟磁性薄膜。

IPC (4件)：

H01F 10/00 ,  H01F 1/14 ,  H01F 10/14 ,  H01F 17/04