特許

J-GLOBAL ID：200903034490480835

半導体素子基板及びその製造方法

発明者： 近藤 茂樹 ,  須川 成利
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 豊田 善雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-033960
公開番号（公開出願番号）：特開平6-230430
出願日： 1993年02月01日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】 単結晶Siからなる半導体素子を用いた液晶素子において、強度を向上する。【構成】 多孔質Si上にエピタキシャル成長させることによって作製した単結晶Si層を、表面にSiO2 層を形成したSi基板に貼り付けて上記多孔質Siをエッチング除去した後、Si基板を部分的にくり抜き除去し、該くり抜き部の形状に合わせてガラスを成形し、表面に所望のパターンの遮光層を成形した後、露出したSiO2 層及びSi基板に貼り合わせてこれらを支持する。

請求項（抜粋）：

絶縁性の透光層と、該透光層を部分的に支持する非透光性基板と、上記透光層上に形成された半導体層とを有し、透光性補強材が、少なくとも上記非透光性基板が支持していない透光層の透光領域を支持していることを特徴とする半導体素子基板。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784