特許

J-GLOBAL ID：200903034492156512

イオン注入ウェハを使用した温度測定方法および装置

発明者： ワーレン・エフ・マッカーサー ,  フレッド・シー・セッション
出願人/特許権者： ヒューズ・エアクラフト・カンパニー
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-275106
公開番号（公開出願番号）：特開平7-248264
出願日： 1994年11月09日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、半導体装置等の被測定物を汚染することなく局部的な表面温度を測定することのできる表面温度測定方法を提供することを目的とする。【構成】 最初のウェハ50を設け(工程a)、イオン粒子により第1の注入量で最初のウェハに第1のイオン注入を行い表面層52を形成し(工程b)、アニール温度でイオン注入された最初のウェハをアニールし(工程c)、前の注入で使用されたものと同じイオン粒子により第1の注入量より低い第2の注入量で第2のイオン注入を行って前の層52より薄い第2の表面層56を形成し(工程d)、試験ウェハ58を形成し、未知の温度にこの試験ウェハ58を加熱し(工程e)、試験ウェハ58の表面電気比抵抗を測定して測定された表面電気比抵抗から未知の温度の値を決定することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

短距離の不安定な欠陥構造を有する試験ウェハと、試験ウェハの表面電気比抵抗の、それが加熱される温度の関数としての較正関係とを有している試験温度を測定する試験キット。

IPC (4件)：

G01K 7/16 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/22 501 ,  H01L 21/66

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-142948
  
• 特開平4-150049
  
• 特開平3-079057