特許

J-GLOBAL ID：200903034493303764

電気的特性劣化検出方法およびその装置

発明者： 堀内 利一 ,  菅原 良孝
出願人/特許権者： 関西電力株式会社
代理人 (1件)： 岡崎 謙秀 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-225980
公開番号（公開出願番号）：特開2003-050257
出願日： 2001年07月26日
公開日（公表日）： 2003年02月21日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子等に定格電圧よりも高い電圧を加えることなく、十分に低い電圧印加によって電気的特性劣化を簡便に、且つ精度良く検出することのできる、新しい電気的特性劣化検出方法およびその装置を提供する。【解決手段】 半導体素子等の電気的特性の劣化を検出する方法であって、非導通状態の半導体素子等に定格電圧以下の電圧を印加し、当該半導体素子等の複素インピーダンスの虚数成分の大きさを検出する。

請求項（抜粋）：

半導体素子または等価インピーダンスが静電容量と抵抗との並列接続で表される対象物の電気的特性の劣化を検出する方法であって、非導通状態の半導体素子または前記対象物に定格電圧以下の電圧を印加し、複素インピーダンスの虚数成分の大きさを検出することを特徴とする電気的特性劣化検出方法。

IPC (8件)：

G01R 31/12 ,  G01R 27/02 ,  G01R 27/26 ,  G01R 31/00 ,  G01R 31/26 ,  H01L 21/66 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (8件)：

G01R 31/12 Z ,  G01R 27/02 A ,  G01R 27/02 R ,  G01R 27/26 C ,  G01R 31/00 ,  G01R 31/26 C ,  H01L 21/66 H ,  H01L 27/04 T

Fターム (30件)：

2G003AA00 ,  2G003AA04 ,  2G003AB05 ,  2G003AB06 ,  2G003AE02 ,  2G003AH01 ,  2G003AH02 ,  2G003AH10 ,  2G015AA24 ,  2G015CA20 ,  2G028BB11 ,  2G028BB12 ,  2G028CG08 ,  2G028DH05 ,  2G036AA03 ,  2G036AA24 ,  2G036BB09 ,  4M106AA01 ,  4M106AA04 ,  4M106AB03 ,  4M106BA01 ,  4M106CA01 ,  4M106CA12 ,  4M106CA13 ,  4M106CA14 ,  5F038DF01 ,  5F038DT11 ,  5F038DT12 ,  5F038DT19 ,  5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-080567
  
• 特公昭57-010651
  
• 特公昭60-007356