特許

J-GLOBAL ID：200903034495509742

薄膜多結晶シリコン、それを用いた太陽電池及び薄膜多結晶シリコンの製造方法

発明者： 石田 博之 ,  堀江 哲弘
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-138127
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332268
出願日： 1999年05月19日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 安価で高効率な薄膜多結晶シリコン太陽電池を得ること。【解決手段】 薄膜多結晶シリコン8をドーパント濃度を適正に制御したp層3とn層5で発電層となるi層4を挟んだpin構造として、ほぼ発電層(i層)4全体に内蔵電界を形成する。これにより、光照射により生成された光生成キャリアが発電層のほぼ全体に拡がった内蔵電界に基づくドリフトにより分離され、結晶粒界6で捕獲されて再結合する確率が低くなる。従って、結晶粒径の小さい薄膜多結晶シリコン8で太陽電池を構成した場合においても、結晶粒界6における損失が低減し、外部に取り出すことのできる電流が増加すると同時に開放電圧も増大し、結晶粒径の小さい薄膜多結晶シリコン太陽電池の変換効率が向上する。また、結晶粒径を増大させる必要がないため、ランプアニール等による溶融再結晶化の工程が不要であり、製造工程が簡素化し、低コスト化できる。

請求項（抜粋）：

pin構造を有し、i層に内蔵電界が形成されている薄膜多結晶シリコン。

Fターム (6件)：

5F051AA03 ,  5F051AA16 ,  5F051CB18 ,  5F051DA04 ,  5F051FA22 ,  5F051HA03

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-055764   出願人：新技術事業団