特許
J-GLOBAL ID：200903034496904076
半導体単結晶層の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-096097
公開番号（公開出願番号）：特開平7-302762
出願日： 1994年05月10日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：
【要約】【構成】原料ガスのキャリアガスとして、水素ガスと超高純度の不活性ガスまたは、超高純度の窒素ガスの混合ガスを用いる。【効果】水素ガスの還元反応による半導体基板表面のクリーニング効果を維持し、かつ、水素ガス流量を減らすことが可能となるため、高品質の半導体単結晶層が形成可能なCVD装置がクリーンルーム内に設置可能となる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に半導体単結晶層を形成する方法の一つである化学反応気相成長法において、原料ガスのキャリアガスとして水素ガスと不活性ガスの混合ガスを用いることを特徴とする半導体単結晶層の形成方法。
IPC (2件)：
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