特許
J-GLOBAL ID：200903034496924280
薄膜歪抵抗材料とその製造方法及び薄膜歪みセンサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-109948
公開番号（公開出願番号）：特開平6-300649
出願日： 1993年04月12日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：
【要約】【目的】 Crと主体とする薄膜歪抵抗材料は、ゲ-ジ率が大きいが、ブリッジ内での、抵抗温度特性、感度温度特性などのばらつきが大きい。また抵抗温度特性や感度温度特性そのものも大きい。これらのパラメ-タの値が小さくばらつきの少ない薄膜歪抵抗材料を与えることが目的である。【構成】 従来のクロムの薄膜歪抵抗材料は多くの酸素を含す。クロムの酸化物は数多くしかも不安定である。とりわけアモルファス酸化クロムが不安定でこれがパラメ-タのばらつきを大きくしている。本発明では窒素の雰囲気で200°C以上に加熱した基板の上に薄膜形成をし、窒素の雰囲気でアニ-ルをする。これによりクロムはbccCrとCrN2 の構造のみを含むようになる。これは安定であるから歪抵抗材料のパラメ-タが変化せず、ブリッジ内でのばらつきも小さい。
請求項（抜粋）：
クロムを主体とする薄膜歪抵抗材料において、bccクロムと六方晶Cr2 Nの結晶構造を有することを特徴とする薄膜歪抵抗材料。
IPC (2件)：
G01L 9/04 101
, G01B 7/18
