特許
J-GLOBAL ID：200903034503250842

窒化物半導体製造装置および窒化物半導体素子

発明者：
高平 宜幸

高平 宜幸 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (2件)： 佐野 静夫 ,  山田 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-195639
公開番号（公開出願番号）：特開2007-019052
出願日： 2005年07月05日
公開日（公表日）： 2007年01月25日
要約：
【課題】 反応炉において使用されずに排出ガスとして排出されたアンモニアを、反応炉において再利用できる窒化物半導体製造装置を提供する。 【解決手段】 アンモニアボンベ11のアンモニアおよび有機金属シリンダ12a、12b、12cの有機金属が輸送ガスによって反応炉16に輸送される。反応炉16では、輸送されたアンモニアおよび有機金属が反応して基板上に窒化物半導体層を形成する。窒化物半導体層の形成に寄与しなかったアンモニアを含む排出ガスは、アンモニア精製部20によって精製され、取り出されたアンモニアは再び反応炉16に輸送され、窒化物半導体層の形成に用いられる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
アンモニア供給部と、このアンモニア供給部からアンモニアが供給される反応炉とを備える窒化物半導体製造装置において、 前記反応炉から排出されたアンモニアを含む排出ガスからアンモニアを精製するアンモニア精製部と、このアンモニア精製部で精製されたアンモニアを還流させる還流配管を、前記アンモニア供給部と前記反応炉とを結ぶ配管に接続したことを特徴とする窒化物半導体製造装置。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  B01D 53/58 ,  B01D 53/34
FI (4件)：
H01L21/205 ,  C23C16/44 E ,  B01D53/34 131 ,  B01D53/34
Fターム (26件)：
4D002AA13 ,  4D002AC10 ,  4D002CA02 ,  4D002DA35 ,  4D002EA08 ,  4D002FA01 ,  4K030AA11 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030EA12 ,  4K030EA14 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030KA49 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD15 ,  5F045EG08 ,  5F045EG09
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (8件)
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