特許
J-GLOBAL ID：200903034509299096

ホウ素/炭素/窒素/酸素/ケイ素でドープ処理したスパッタリングターゲットの製造方法

発明者：
ツァン, ウェンジュン

ツァン, ウェンジュン について


出願人/特許権者：
ヘラエウス インコーポレーテッド

ヘラエウス インコーポレーテッド について


代理人 (2件)： 笹島 富二雄 ,  西山 春之
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-523049
公開番号（公開出願番号）：特表2005-533182
出願日： 2003年07月02日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：
本発明は、ホウ素、炭素、窒素、酸素及びケイ素を含む非金属化合物でドープ処理したスパッタリングターゲットの製造方法に関する。粉末処理は、ホウ素/炭素/窒素/酸素/ケイ素の非金属成分及びミクロ構造内にミクロン未満の相を含む非金属を合金化した粉末を用い、その合金粉末を、混合し、容器に詰め、そして、熱間静水圧圧縮成形で圧密する。本発明のスパッタリングターゲットは、基材面に対するターゲットの材料物質のスパッタリング中におけるスピッティング問題を回避する。
請求項（抜粋）：
非金属添加物でドープ処理したスパッタリングターゲットの製造方法であって、 (a)少なくとも1つの非金属でドープ処理した原料成分粉末又は合金を、該粉末が約10μm未満のミクロ構造を有するようにして準備又は選択し、 (b)キャニングし (c)熱間静水圧圧縮成形を施し、 (d)機械加工でスパッタターゲットに形作る、 諸工程を具備したことを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
IPC (8件)：
C23C14/34 ,  B22F3/15 ,  B22F3/24 ,  C22C19/03 ,  C22C19/07 ,  C22C27/06 ,  C22C28/00 ,  C22C38/00
FI (8件)：
C23C14/34 A ,  B22F3/15 H ,  B22F3/24 D ,  C22C19/03 M ,  C22C19/07 M ,  C22C27/06 ,  C22C28/00 B ,  C22C38/00 304
Fターム (33件)：
4K018AA08 ,  4K018AA10 ,  4K018AA15 ,  4K018AA25 ,  4K018AA40 ,  4K018AB01 ,  4K018AB02 ,  4K018AB03 ,  4K018AB04 ,  4K018AC01 ,  4K018AC03 ,  4K018BA03 ,  4K018BA04 ,  4K018BA08 ,  4K018BA09 ,  4K018BA15 ,  4K018BA16 ,  4K018BA19 ,  4K018BA20 ,  4K018BB04 ,  4K018BC15 ,  4K018BC18 ,  4K018DA29 ,  4K018EA16 ,  4K018FA06 ,  4K018KA29 ,  4K029BA21 ,  4K029BA24 ,  4K029BA25 ,  4K029BA26 ,  4K029CA05 ,  4K029DC04 ,  4K029DC09
引用特許：
審査官引用 (3件)

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