特許

J-GLOBAL ID：200903034509581239

半導体装置

発明者： アンソニー ホッブス
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-061014
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264647
出願日： 1995年03月20日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】配線層内に熱的に誘起された応力(ストレス)を緩和する手段を備えた半導体装置に関し、配線と配線を埋め込む絶縁領域との間の熱膨張係数の差に基づく応力の影響を低減した半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 半導体素子を形成した半導体基板と、前記半導体基板上方に形成され、上面にグルー金属層を備え、回路の相互接続配線に用いられる第1相互接続配線領域と、上面にグルー金属層を備えず、回路の構成要素として用いられない第1ダミー領域とを含む第1配線層と、前記第1配線層を覆う第1絶縁層とを有する。

請求項（抜粋）：

半導体素子を形成した半導体基板と、前記半導体基板上方に形成され、上面にグルー金属層を備え、回路の相互接続配線に用いられる第1相互接続配線領域と、上面にグルー金属層を備えず、回路の構成要素として用いられない第1ダミー領域とを含む第1配線層と、前記第1配線層を覆う第1絶縁層とを有する半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 S