特許
J-GLOBAL ID：200903034511073631
半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-282682
公開番号（公開出願番号）：特開平5-120882
出願日： 1991年10月29日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【目的】高集積かつ低消費電力かつ2V以下の低電圧動作が可能なスタティックRAMを提供する。【構成】低消費電力昇圧回路51を用いてワード線58又はメモリセル給電線59の電圧を昇圧し、高抵抗型又はTFT型のメモリセルの書き込み時の内部の電圧を大きくする。【効果】低消費電力昇圧回路を用いているのでSRAMの特徴である待機時の低消費電力化が保たれる。高抵抗型又はTFT型のメモリセルを用いているので高集積出ある。さらに、書き込み時のセル内部の電圧を大きくするので読みだ時、ビット線対に表れる差信号が大きくなり2V以下の低電圧動作が可能である。
請求項（抜粋）：
第一導電型の2つの駆動MOSFET及び2つの転送MOSFETと、2つの抵抗又は薄膜トランジスタからなる負荷素子とにより構成されたスタティック型のメモリセルが半導体基体上にアレー状に形成され、上記駆動MOSFETのソース電極が第1動作電位点に接続され、上記負荷素子の一方の電極が第2動作電位点に接続された半導体記憶装置であって、上記第1動作電位点と上記第2動作電位点との間の電源電圧をVcc、上記駆動MOSFETのしきい値電圧をVthとしたとき、上記メモリセルに情報を書き込む動作の間に、上記メモリセル内の2つのノードのうちの1つのノードの電圧をVcc-Vthより大きい電圧とすることを特徴とした半導体記憶装置。
FI (2件)：
G11C 11/34 335 A
, G11C 11/34 J
