特許

J-GLOBAL ID：200903034515265519

半導体レーザ装置及びその製造方法

発明者： 木之下 秀明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-058780
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275906
出願日： 1993年03月18日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】 素子寸法のばらつきを防ぎ、素子特性の制御性の向上を可能とする素子構造を有するInGaAlP系の横モード制御型半導体レーザ装置を提供することを目的とする。【構成】 半導体基板と、この半導体基板上に形成されたInGaAlP系混晶からなる下部クラッド層、活性層及び第1の上部クラッド層を積層してなるダブルヘテロ構造部と、このダブルヘテロ構造部上にInGaAlP系混晶からなる第2の上部クラッド層及びコンタクト層をストライプ状に積層してなるリッジ部と、前記ダブルヘテロ構造部及びリッジ部上に形成されたオーミックコンタクト層とを具備し、前記リッジ部は、前記第1の上部クラッド層の所定部分上に選択成長により形成されてなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と、この半導体基板上に形成されたInGaAlP系混晶からなる第1導電型の下部クラッド層、活性層及び第2導電型の第1の上部クラッド層を積層してなるダブルヘテロ構造部と、このダブルヘテロ構造部上にInGaAlP系混晶からなる第2導電型の第2の上部クラッド層及び第2導電型のコンタクト層をストライプ状に積層してなるリッジ部と、前記ダブルヘテロ構造部及びリッジ部上に形成された第2導電型のオーミックコンタクト層とを具備し、前記リッジ部は、前記第1の上部クラッド層の所定部分上に選択成長により形成されてなることを特徴とする半導体レーザ装置。