特許
J-GLOBAL ID：200903034517139758
半導体装置の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-005049
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230215
出願日： 1992年08月12日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：
【要約】【課題】 基板に熱的な影響を与えず、素子ごとの特性のばらつきを少なくする作製方法を提供する。【解決手段】基板を移動させながら、ビーム断面形状が長方形のパルス発振のレーザービームを前記半導体薄膜に照射して、基板上のアモルファス珪素膜を結晶化する際に、前記基板をビーム断面の幅に移動し、その移動距離を1つのパルスが発振してから次のパルスが発振される期間の前記基板の移動距離を前記ビーム断面形状の幅よりも短くすることで、アモルファス珪素膜の同じ箇所に少なくとも5個以上のパルスを照射する。
請求項（抜粋）：
基板の上方に半導体薄膜を形成し、前記基板を移動させながら、ビーム断面形状が幅が長さよりも短いパルス発振のレーザービームを前記半導体薄膜に照射することを含み、前記基板の移動方向は前記ビーム断面形状の幅方向であり、1つのパルスが発振してから次のパルスが発振される期間の前記基板の移動距離を前記ビーム断面形状の幅よりも短くすることで、前記半導体薄膜の同じ箇所に少なくとも5個のパルスを照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (4件)：
H01L 21/268
, H01L 21/22
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/268 F
, H01L 21/22 E
, H01L 29/78 616 L
, H01L 29/78 627 G
